步骤1：去psg层，将经过扩散掺杂的电池片，浸泡在hf溶液中，去除扩散掺杂过程中产生的psg；
步骤2：清洗，将上述电池片，用纯化水清洗去除电池片残留的hf；
步骤3：pecvd氮化硅镀膜，将上述电池片，进行pecvd氮化硅镀膜工艺处理，在电池片正面制备一层氮化硅薄膜。
步骤4：去背结及抛光，将上述电池片，浸泡在四甲基氢氧化铵(tmah)溶液中，由于电池片上表面存在一层氮化硅薄膜可以保护正面不被tmah反应，从而达到背面去除p-n结和抛光的目的。
步骤5：清洗，将上述电池片，用纯化水清洗去除电池片片上残留的tmah碱液。
步骤6：风干，将上述电池片，采用热风风刀将上述电池片吹干。
进一步的，步骤1中所述hf溶液的质量浓度为5％～10％，浸泡时间为150s～300s，反应温度为室温。
进一步的，步骤2所述的纯化水清洗方式为，先采用溢流清洗，快速除去电池片上残留的hf，随后采用慢提拉的方式进行漂洗，进一步去除电池片上残留的杂质。
进一步的，步骤4中所述tmah碱液的质量浓度为25％～28％，浸泡时间为90s～120s，处理温度为60℃～80℃。
进一步的，步骤5所述的纯化水清洗方式为，先采用溢流清洗，快速除去电池片上残留的tmah，随后采用慢提拉的方式进行漂洗，进一步去除电池片上残留的杂质。
(a)对未抛光的太阳能电池硅片进行预清洗，并配制抛光溶液，该抛光溶液为添加有表面活性剂的碱溶液；
(b)将步骤(a)中所配制的抛光溶液加热到80?100°C，并将预清洗过的太阳能电池石圭片浸入该加热后的抛光溶液中进行抛光处理，抛光处理的时间为90?200秒。在反应的过程中有气泡产生，可以配备较好的鼓吹气泡装置。关于抛光的时间，可用秒表来计时，在达到所需抛光效果的同时控制硅片的减薄量。
[0006](c)对步骤(b)中得到的抛光后的太阳能电池硅片进行酸洗、水洗和干燥。
[0007]进一步地，在步骤(a)中，预清洗使用的清洗剂为氨水和双氧水的混合溶液。清洗过程中，优选额外使用超声波辅助清洗，这样清洗的效果更好。
[0008]优选地，在步骤(a)中，表面活性剂为烷基酚型表面活性剂，可以使抛光反应更均匀。
[0009]优选地，在步骤(a)中，表面活性剂为Ε0Ρ0Ε0型嵌段共聚物，可以使抛光反应更均匀更优选地，在步骤(a)中，表面活性剂占碱溶液总体积(即，抛光溶液的总体积)的0.05%?0.
[0010]优选地，在步骤(a)中，碱溶液为氢氧化钠或氢氧化钾溶液。
[0011]优选地，在步骤(a)中，碱溶液为四甲基氢氧化铵溶液。
[0012]更优选地，在步骤(a)中，碱溶液的质量分数为10 %?20 %。
[0013]再优选地，在步骤(C)中，酸洗所使用的酸液为氢氟酸和盐酸的混合溶液。
[0014]与现有技术相比，本发明具有下列优点:本发明的抛光方法使用碱和表面活性剂进行抛光处理，所使用的抛光溶液在一定的温度下进行，抛光前原硅片的反射率为18%左右，抛光后在300nm至IlOOnm的可见光范围内，反射率达到50%，抛光效果显著。
[0015]本发明的抛光方法在现有工艺基础上进行了改进，是根据强碱对硅片具有良好抛光效果而设计的技术方案。本发明的该方法不仅成本低，简单易操作，而且对于传统生产线的生产工艺来说，不需要很大的整改就可以直接加入此环节进行匹配，相对于买专门抛光的机器另加一个工序来匹配传统工艺生产而言，节省了引进新技术整体的成本，而且抛光效果良好。
1)清洗和制绒；
2)扩散掺杂；
3)磷硅玻璃清洗与边缘刻蚀；
4)PECVD氮化硅镀膜；
5)金属电极印刷和烧结。其中扩散掺杂是在太阳能电池片正面产生p-n结，大多采用管式扩散炉，在p-n结在扩散过程中会产生一层磷硅玻璃层(简称PSG，为富含磷元素的二氧化硅层)。
PSG层会对后续镀膜和烧结工艺产生不良影响，并且扩散后硅片的边缘和正面均存在p-n结，会导致硅片两面电极的导通漏电，降低电池对光生电流的收集效率
