它们的电负性差异不足以形成离子化合物，所以只好共用电子对了。
这个是硅掺杂形成电子型半导体的原理。在硅结晶当中，磷原子替代了硅的位置，五个价电子只能形成四个价键，结果有电子富余，可以形成导电能力。
在纯净的硅晶体中掺入Ⅴ族元素（如磷、砷、锑等），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。这类杂质提供了带负电（Negative）的电子载流子，称他们为施主杂质或n型杂质。
在N型半导体中，自由电子为多子，空穴为少子，主要靠自由电子导电，由于N型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故N型半导体呈电中性。
自由电子主要由杂质原子提供，空穴由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能就越强。
