转化效率能达到40%以上
许多太阳能光伏设备基于各种形式的晶体硅或硅、碲化镉或硒化铜铟镓的薄膜，其转换效率在20%至30%。
碳化硅SiC的导热系数是硅的三倍，因此可以在更高的温度下工作。硅在175°C左右不再充当半导体，在200°C左右成为导体，而SiC直到达到1000°C时才会变成导体。
SiC的热特性优势可用于两方面。首先，它可用于制造比等效硅系统需要更少冷却的功率转换器。另外，SiC在较高温度下的稳定运行可用于制造极高密度的电源转换系统。所以可以有更高的转化效率。
